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ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe U.2 SSD Serie

Hochleistungsfähige PCIe® Gen4 NVMe U.2 SSDs für industrielle und Enterprise-Anwendungen

FEATURES

  • PCIe® Gen4 NVMe U.2 SSD für industrielle und Enterprise-Anwendungen
  • Hohe Schreibausdauer mit bis zu 5 DWPD für intensive Workloads
  • MCU-basierte Power-Loss-Protection mit Level-4-Schutz
  • Erhältlich in U.2, M.2 und E1.S für flexible Integrationsmöglichkeiten
  • Erweiterter Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis +85°C
Artikelnr.: 29325

Beschreibung

ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe U.2 SSDs – Höchste Zuverlässigkeit und Performance für Edge- und Enterprise-Umgebungen

In einer zunehmend datengesteuerten Welt, in der IT- und OT-Infrastrukturen miteinander verschmelzen, steigen die Anforderungen an Speichermedien rapide. Mit der wachsenden Datenmenge verlagert sich die Verarbeitung immer stärker an den Rand des Netzwerks (Edge), wo Speicherlösungen nicht nur leistungsstark, sondern auch extrem robust sein müssen. Die ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe U.2 SSDs wurden speziell für diese anspruchsvollen Bedingungen entwickelt. Sie vereinen die Haltbarkeit und Widerstandsfähigkeit industrieller SSDs mit der hohen Leistung von Enterprise-Speicherlösungen. Dies macht sie ideal für Edge Computing, Industrie 4.0, KI-gestützte Systeme und andere datenintensive Anwendungen, die unter extremen Bedingungen arbeiten.

Optimiert für anspruchsvolle industrielle Umgebungen

Mit einer hohen Gesamtschreibleistung von bis zu 5 DWPD (Drive Writes Per Day) und niedriger Latenz (QoS) liefern die SSDs eine herausragende Performance selbst bei intensiven Workloads. Sie sind für den industriellen Temperaturbereich ausgelegt und bieten damit zuverlässigen Betrieb in Umgebungen mit starken Temperaturschwankungen.

Dank des MCU-basierten Power-Loss-Protection-Designs mit Level-4-Schutz sind eingehende Daten auch bei plötzlichem Stromausfall abgesichert. Zudem sorgt die Ultra-Low Bit Error Rate (UBER) von <1 in 10^17 für höchste Datensicherheit und Integrität.

Vielseitige Formfaktoren für flexible Integration

Die ATP Industrial Enterprise SSDs sind in den Formfaktoren U.2, M.2 und E1.S verfügbar, um sich an unterschiedliche Speicherarchitekturen anzupassen. Je nach Anwendungsanforderung sind verschiedene Kapazitäten und Schreibleistungsoptionen verfügbar.

Maximale Langlebigkeit und Effizienz

Mit fortschrittlichem Wärmemanagement und maßgeschneiderter ATP-Firmware gewährleisten diese SSDs eine konstante Leistung über lange Betriebszeiten hinweg. Sie sind ideal als Boot-Laufwerke, Datenspeicher oder Hochgeschwindigkeitslösungen für intensive Lese-/Schreibprozesse in industriellen Umgebungen.

Ob in Smart Factories, KI-gestützten Systemen oder IoT-Anwendungen – die ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe U.2 SSDs bieten die perfekte Balance aus Haltbarkeit, Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit für die anspruchsvollsten Speicheranforderungen.

Spezifikationen

ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe SSD Serie
SPEZIFIKATIONEN
Produktlinie Enterprise
Naming N651Sie
Schnittstelle PCIe Gen4 x4
Formfaktor M.2 U.2 E1.S
Abmessungen 80 x 22 x 3,85mm 100 x 69,85 x 15mm 118,75 x 33,75 x 9,5mm
Flash-Typ TLC
Kapazität 120GB bis 1,92TB 480GB bis 7,68TB
Sequenzielles Lesen bis zu[1][6][7] 6.450 MB/s 6.000 MB/s 6.100 MB/s
Sequenzielles Schreiben bis zu[1][6][7] 6.050 MB/s 5.500 MB/s 6.000 MB/s
Zufälliges Lesen bis zu[2][6][7] 1.100 KIOPS 820 KIOPS 870 KIOPS
Zufälliges Schreiben bis zu[2][6][7] 1.250 KIOPS 1.200 KIOPS
Dauerhaftes sequenzielles Schreiben bis zu[3][6][7] 3.000 MB/s 3.200 MB/s
Dauerhaftes zufälliges Schreiben bis zu[4][6][7] 250 KIOPS (1.000 MB/s) 320 KIOPS (1.280 MB/s)
Haltbarkeit (DWPD)[8] Verfügbar in Konfigurationen mit 1, 2 und 5 DWPD
QoS 99,9999%[5][6][7] Lesen <90µs | Schreiben <10µs Lesen <80µs | Schreiben <10µs Lesen <80µs | Schreiben <10µs
Datenerhalt 1 Jahr bei 55°C (100% P/E-Zyklen)
Power Loss Protection Ja
End to End Data Path Protection Ja
Anhaltende Leseleistung (Max)[7] <9W <14,5W <13W
Anhaltende Schreibleistung (Max)[7] <11,5W <17,5W <15,5W
Versorgungsspannung 3,3V 12V
Betriebstemperatur -40°C bis 85°C (I-Temp)
Lagertemperatur -40°C bis 85°C
Vibrations-/Stoßresistenz Vibration: Sinus 16,4G,10~2.000Hz
Stoß: Halber Sinus 1.500G/0,5ms
MTBF @ 25°C > 3.000.000 Stunden
UBER <1 Sektor pro 10^17 Bits gelesen
Garantie 5 Jahre

[1] Sequentielle Burst-Leistung getestet mit IOmeter 4MB, QD64

[2] Zufällige Burst-Leistung, getestet mit IOmeter 4KB, QD64

[3] Durchschnittliche anhaltende sequenzielle Schreibleistung, getestet mit IOmeter, 4MB, QD64 für 4 Stunden

[4] Durchschnittliche anhaltende Leistung beim zufälligen Schreiben, getestet mit IOmeter, 4KB, QD64 für 4 Stunden

[5] 4KB zufällig QD=1

[6] Die tatsächliche Leistung kann je nach Benutzerbedingungen und Systemumgebung unterscheiden.

[7] Die Parameter wurden mit dem Laufwerk mit der höchsten Kapazität getestet.

[8] DWPD für 5 Jahre getestet mit JESD219A Enterprise Workload

Dokumente

Datenblatt

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