- PCIe® Gen4 NVMe U.2 SSD für industrielle und Enterprise-Anwendungen
- Hohe Schreibausdauer mit bis zu 5 DWPD für intensive Workloads
- MCU-basierte Power-Loss-Protection mit Level-4-Schutz
- Erhältlich in U.2, M.2 und E1.S für flexible Integrationsmöglichkeiten
- Erweiterter Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis +85°C
FEATURES
Beschreibung
ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe U.2 SSDs – Höchste Zuverlässigkeit und Performance für Edge- und Enterprise-Umgebungen
In einer zunehmend datengesteuerten Welt, in der IT- und OT-Infrastrukturen miteinander verschmelzen, steigen die Anforderungen an Speichermedien rapide. Mit der wachsenden Datenmenge verlagert sich die Verarbeitung immer stärker an den Rand des Netzwerks (Edge), wo Speicherlösungen nicht nur leistungsstark, sondern auch extrem robust sein müssen. Die ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe U.2 SSDs wurden speziell für diese anspruchsvollen Bedingungen entwickelt. Sie vereinen die Haltbarkeit und Widerstandsfähigkeit industrieller SSDs mit der hohen Leistung von Enterprise-Speicherlösungen. Dies macht sie ideal für Edge Computing, Industrie 4.0, KI-gestützte Systeme und andere datenintensive Anwendungen, die unter extremen Bedingungen arbeiten.
Optimiert für anspruchsvolle industrielle Umgebungen
Mit einer hohen Gesamtschreibleistung von bis zu 5 DWPD (Drive Writes Per Day) und niedriger Latenz (QoS) liefern die SSDs eine herausragende Performance selbst bei intensiven Workloads. Sie sind für den industriellen Temperaturbereich ausgelegt und bieten damit zuverlässigen Betrieb in Umgebungen mit starken Temperaturschwankungen.
Dank des MCU-basierten Power-Loss-Protection-Designs mit Level-4-Schutz sind eingehende Daten auch bei plötzlichem Stromausfall abgesichert. Zudem sorgt die Ultra-Low Bit Error Rate (UBER) von <1 in 10^17 für höchste Datensicherheit und Integrität.
Vielseitige Formfaktoren für flexible Integration
Die ATP Industrial Enterprise SSDs sind in den Formfaktoren U.2, M.2 und E1.S verfügbar, um sich an unterschiedliche Speicherarchitekturen anzupassen. Je nach Anwendungsanforderung sind verschiedene Kapazitäten und Schreibleistungsoptionen verfügbar.
Maximale Langlebigkeit und Effizienz
Mit fortschrittlichem Wärmemanagement und maßgeschneiderter ATP-Firmware gewährleisten diese SSDs eine konstante Leistung über lange Betriebszeiten hinweg. Sie sind ideal als Boot-Laufwerke, Datenspeicher oder Hochgeschwindigkeitslösungen für intensive Lese-/Schreibprozesse in industriellen Umgebungen.
Ob in Smart Factories, KI-gestützten Systemen oder IoT-Anwendungen – die ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe U.2 SSDs bieten die perfekte Balance aus Haltbarkeit, Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit für die anspruchsvollsten Speicheranforderungen.
Spezifikationen
ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe SSD Serie | |||
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SPEZIFIKATIONEN | |||
Produktlinie | Enterprise | ||
Naming | N651Sie | ||
Schnittstelle | PCIe Gen4 x4 | ||
Formfaktor | M.2 | U.2 | E1.S |
Abmessungen | 80 x 22 x 3,85mm | 100 x 69,85 x 15mm | 118,75 x 33,75 x 9,5mm |
Flash-Typ | TLC | ||
Kapazität | 120GB bis 1,92TB | 480GB bis 7,68TB | |
Sequenzielles Lesen bis zu[1][6][7] | 6.450 MB/s | 6.000 MB/s | 6.100 MB/s |
Sequenzielles Schreiben bis zu[1][6][7] | 6.050 MB/s | 5.500 MB/s | 6.000 MB/s |
Zufälliges Lesen bis zu[2][6][7] | 1.100 KIOPS | 820 KIOPS | 870 KIOPS |
Zufälliges Schreiben bis zu[2][6][7] | 1.250 KIOPS | 1.200 KIOPS | |
Dauerhaftes sequenzielles Schreiben bis zu[3][6][7] | 3.000 MB/s | 3.200 MB/s | |
Dauerhaftes zufälliges Schreiben bis zu[4][6][7] | 250 KIOPS (1.000 MB/s) | 320 KIOPS (1.280 MB/s) | |
Haltbarkeit (DWPD)[8] | Verfügbar in Konfigurationen mit 1, 2 und 5 DWPD | ||
QoS 99,9999%[5][6][7] | Lesen <90µs | Schreiben <10µs | Lesen <80µs | Schreiben <10µs | Lesen <80µs | Schreiben <10µs |
Datenerhalt | 1 Jahr bei 55°C (100% P/E-Zyklen) | ||
Power Loss Protection | Ja | ||
End to End Data Path Protection | Ja | ||
Anhaltende Leseleistung (Max)[7] | <9W | <14,5W | <13W |
Anhaltende Schreibleistung (Max)[7] | <11,5W | <17,5W | <15,5W |
Versorgungsspannung | 3,3V | 12V | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 85°C (I-Temp) | ||
Lagertemperatur | -40°C bis 85°C | ||
Vibrations-/Stoßresistenz | Vibration: Sinus 16,4G,10~2.000Hz Stoß: Halber Sinus 1.500G/0,5ms |
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MTBF @ 25°C | > 3.000.000 Stunden | ||
UBER | <1 Sektor pro 10^17 Bits gelesen | ||
Garantie | 5 Jahre |
[1] Sequentielle Burst-Leistung getestet mit IOmeter 4MB, QD64
[2] Zufällige Burst-Leistung, getestet mit IOmeter 4KB, QD64
[3] Durchschnittliche anhaltende sequenzielle Schreibleistung, getestet mit IOmeter, 4MB, QD64 für 4 Stunden
[4] Durchschnittliche anhaltende Leistung beim zufälligen Schreiben, getestet mit IOmeter, 4KB, QD64 für 4 Stunden
[5] 4KB zufällig QD=1
[6] Die tatsächliche Leistung kann je nach Benutzerbedingungen und Systemumgebung unterscheiden.
[7] Die Parameter wurden mit dem Laufwerk mit der höchsten Kapazität getestet.
[8] DWPD für 5 Jahre getestet mit JESD219A Enterprise Workload