- PCIe® Gen4 NVMe M.2 SSD für industrielle und Enterprise-Anwendungen
- Hohe Schreibausdauer mit bis zu 5 DWPD für intensive Workloads
- MCU-basierte Power-Loss-Protection mit Level-4-Schutz
- Erhältlich in U.2, M.2 und E1.S für flexible Integrationsmöglichkeiten
- Erweiterter Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis +85°C
FEATURES
Beschreibung
ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe M.2 SSDs – Leistungsstarke und zuverlässige Speicherlösung für industrielle Anwendungen
In einer Welt, in der Datenmengen rasant wachsen und IT- sowie OT-Infrastrukturen immer stärker zusammenwachsen, steigen die Anforderungen an Speicherlösungen kontinuierlich. Besonders an der Edge, wo schnelle Verarbeitung und hohe Widerstandsfähigkeit gefragt sind, müssen Speicherlösungen sowohl leistungsstark als auch äußerst robust sein. Die ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe M.2 SSDs wurden speziell für diese Herausforderungen entwickelt. Sie vereinen die hohe Langlebigkeit industrieller SSDs mit der Performance von Enterprise-Speicherlösungen und sind damit ideal für Edge Computing, Industrie 4.0, KI-gestützte Systeme und andere anspruchsvolle Anwendungen.
Höchste Performance und Zuverlässigkeit für extreme Bedingungen
Mit einer Gesamtschreibleistung von bis zu 5 DWPD (Drive Writes Per Day) und einer optimierten Latenz (QoS) liefern diese SSDs konstante Leistung selbst bei intensiven Workloads. Sie sind für den industriellen Temperaturbereich von -40°C bis +85°C ausgelegt und ermöglichen einen zuverlässigen Betrieb auch unter extremen Umweltbedingungen.
Ein MCU-basiertes Power-Loss-Protection-Design mit Level-4-Schutz sorgt dafür, dass alle eingehenden Daten auch bei unerwarteten Stromausfällen sicher gespeichert werden. Zusätzlich gewährleistet die Ultra-Low Bit Error Rate (UBER) von <1 in 10^17 eine hohe Datenintegrität und langfristige Zuverlässigkeit.
Vielseitige Formfaktoren für flexible Integration
Die ATP Industrial Enterprise SSDs sind in den Formfaktoren U.2, M.2 und E1.S verfügbar, um sich an unterschiedliche Speicherarchitekturen anzupassen. Je nach Anwendungsanforderung sind verschiedene Kapazitäten und Schreibleistungsoptionen verfügbar.
Langlebigkeit und Effizienz für den Dauerbetrieb
Mit einem effizienten Wärmemanagement und einer speziell angepassten ATP-Firmware sorgen diese SSDs für eine gleichbleibend hohe Performance über lange Zeiträume hinweg. Sie eignen sich ideal als Boot-Laufwerke, Hochgeschwindigkeitsspeicher oder zuverlässige Datenlösungen für anspruchsvolle industrielle Anwendungen.
Ob in Smart Factories, KI-gestützten Systemen oder IoT-Anwendungen – die ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe M.2 SSDs bieten eine optimale Kombination aus Leistung, Robustheit und Zuverlässigkeit für moderne Edge- und Enterprise-Umgebungen.
Spezifikationen
ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe SSD Serie | |||
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SPEZIFIKATIONEN | |||
Produktlinie | Enterprise | ||
Naming | N651Sie | ||
Schnittstelle | PCIe Gen4 x4 | ||
Formfaktor | M.2 | U.2 | E1.S |
Abmessungen | 80 x 22 x 3,85mm | 100 x 69,85 x 15mm | 118,75 x 33,75 x 9,5mm |
Flash-Typ | TLC | ||
Kapazität | 120GB bis 1,92TB | 480GB bis 7,68TB | |
Sequenzielles Lesen bis zu[1][6][7] | 6.450 MB/s | 6.000 MB/s | 6.100 MB/s |
Sequenzielles Schreiben bis zu[1][6][7] | 6.050 MB/s | 5.500 MB/s | 6.000 MB/s |
Zufälliges Lesen bis zu[2][6][7] | 1.100 KIOPS | 820 KIOPS | 870 KIOPS |
Zufälliges Schreiben bis zu[2][6][7] | 1.250 KIOPS | 1.200 KIOPS | |
Dauerhaftes sequenzielles Schreiben bis zu[3][6][7] | 3.000 MB/s | 3.200 MB/s | |
Dauerhaftes zufälliges Schreiben bis zu[4][6][7] | 250 KIOPS (1.000 MB/s) | 320 KIOPS (1.280 MB/s) | |
Haltbarkeit (DWPD)[8] | Verfügbar in Konfigurationen mit 1, 2 und 5 DWPD | ||
QoS 99,9999%[5][6][7] | Lesen <90µs | Schreiben <10µs | Lesen <80µs | Schreiben <10µs | Lesen <80µs | Schreiben <10µs |
Datenerhalt | 1 Jahr bei 55°C (100% P/E-Zyklen) | ||
Power Loss Protection | Ja | ||
End to End Data Path Protection | Ja | ||
Anhaltende Leseleistung (Max)[7] | <9W | <14,5W | <13W |
Anhaltende Schreibleistung (Max)[7] | <11,5W | <17,5W | <15,5W |
Versorgungsspannung | 3,3V | 12V | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 85°C (I-Temp) | ||
Lagertemperatur | -40°C bis 85°C | ||
Vibrations-/Stoßresistenz | Vibration: Sinus 16,4G,10~2.000Hz Stoß: Halber Sinus 1.500G/0,5ms |
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MTBF @ 25°C | > 3.000.000 Stunden | ||
UBER | <1 Sektor pro 10^17 Bits gelesen | ||
Garantie | 5 Jahre |
[1] Sequentielle Burst-Leistung getestet mit IOmeter 4MB, QD64
[2] Zufällige Burst-Leistung, getestet mit IOmeter 4KB, QD64
[3] Durchschnittliche anhaltende sequenzielle Schreibleistung, getestet mit IOmeter, 4MB, QD64 für 4 Stunden
[4] Durchschnittliche anhaltende Leistung beim zufälligen Schreiben, getestet mit IOmeter, 4KB, QD64 für 4 Stunden
[5] 4KB zufällig QD=1
[6] Die tatsächliche Leistung kann je nach Benutzerbedingungen und Systemumgebung unterscheiden.
[7] Die Parameter wurden mit dem Laufwerk mit der höchsten Kapazität getestet.
[8] DWPD für 5 Jahre getestet mit JESD219A Enterprise Workload