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ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe M.2 SSD Serie

Hochleistungsfähige PCIe® Gen4 NVMe M.2 SSDs für industrielle und Enterprise-Anwendungen

FEATURES

  • PCIe® Gen4 NVMe M.2 SSD für industrielle und Enterprise-Anwendungen
  • Hohe Schreibausdauer mit bis zu 5 DWPD für intensive Workloads
  • MCU-basierte Power-Loss-Protection mit Level-4-Schutz
  • Erhältlich in U.2, M.2 und E1.S für flexible Integrationsmöglichkeiten
  • Erweiterter Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis +85°C
Artikelnr.: 29323

Beschreibung

ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe M.2 SSDs – Leistungsstarke und zuverlässige Speicherlösung für industrielle Anwendungen

In einer Welt, in der Datenmengen rasant wachsen und IT- sowie OT-Infrastrukturen immer stärker zusammenwachsen, steigen die Anforderungen an Speicherlösungen kontinuierlich. Besonders an der Edge, wo schnelle Verarbeitung und hohe Widerstandsfähigkeit gefragt sind, müssen Speicherlösungen sowohl leistungsstark als auch äußerst robust sein. Die ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe M.2 SSDs wurden speziell für diese Herausforderungen entwickelt. Sie vereinen die hohe Langlebigkeit industrieller SSDs mit der Performance von Enterprise-Speicherlösungen und sind damit ideal für Edge Computing, Industrie 4.0, KI-gestützte Systeme und andere anspruchsvolle Anwendungen.

Höchste Performance und Zuverlässigkeit für extreme Bedingungen

Mit einer Gesamtschreibleistung von bis zu 5 DWPD (Drive Writes Per Day) und einer optimierten Latenz (QoS) liefern diese SSDs konstante Leistung selbst bei intensiven Workloads. Sie sind für den industriellen Temperaturbereich von -40°C bis +85°C ausgelegt und ermöglichen einen zuverlässigen Betrieb auch unter extremen Umweltbedingungen.

Ein MCU-basiertes Power-Loss-Protection-Design mit Level-4-Schutz sorgt dafür, dass alle eingehenden Daten auch bei unerwarteten Stromausfällen sicher gespeichert werden. Zusätzlich gewährleistet die Ultra-Low Bit Error Rate (UBER) von <1 in 10^17 eine hohe Datenintegrität und langfristige Zuverlässigkeit.

Vielseitige Formfaktoren für flexible Integration

Die ATP Industrial Enterprise SSDs sind in den Formfaktoren U.2, M.2 und E1.S verfügbar, um sich an unterschiedliche Speicherarchitekturen anzupassen. Je nach Anwendungsanforderung sind verschiedene Kapazitäten und Schreibleistungsoptionen verfügbar.

Langlebigkeit und Effizienz für den Dauerbetrieb

Mit einem effizienten Wärmemanagement und einer speziell angepassten ATP-Firmware sorgen diese SSDs für eine gleichbleibend hohe Performance über lange Zeiträume hinweg. Sie eignen sich ideal als Boot-Laufwerke, Hochgeschwindigkeitsspeicher oder zuverlässige Datenlösungen für anspruchsvolle industrielle Anwendungen.

Ob in Smart Factories, KI-gestützten Systemen oder IoT-Anwendungen – die ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe M.2 SSDs bieten eine optimale Kombination aus Leistung, Robustheit und Zuverlässigkeit für moderne Edge- und Enterprise-Umgebungen.

Spezifikationen

ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe SSD Serie
SPEZIFIKATIONEN
Produktlinie Enterprise
Naming N651Sie
Schnittstelle PCIe Gen4 x4
Formfaktor M.2 U.2 E1.S
Abmessungen 80 x 22 x 3,85mm 100 x 69,85 x 15mm 118,75 x 33,75 x 9,5mm
Flash-Typ TLC
Kapazität 120GB bis 1,92TB 480GB bis 7,68TB
Sequenzielles Lesen bis zu[1][6][7] 6.450 MB/s 6.000 MB/s 6.100 MB/s
Sequenzielles Schreiben bis zu[1][6][7] 6.050 MB/s 5.500 MB/s 6.000 MB/s
Zufälliges Lesen bis zu[2][6][7] 1.100 KIOPS 820 KIOPS 870 KIOPS
Zufälliges Schreiben bis zu[2][6][7] 1.250 KIOPS 1.200 KIOPS
Dauerhaftes sequenzielles Schreiben bis zu[3][6][7] 3.000 MB/s 3.200 MB/s
Dauerhaftes zufälliges Schreiben bis zu[4][6][7] 250 KIOPS (1.000 MB/s) 320 KIOPS (1.280 MB/s)
Haltbarkeit (DWPD)[8] Verfügbar in Konfigurationen mit 1, 2 und 5 DWPD
QoS 99,9999%[5][6][7] Lesen <90µs | Schreiben <10µs Lesen <80µs | Schreiben <10µs Lesen <80µs | Schreiben <10µs
Datenerhalt 1 Jahr bei 55°C (100% P/E-Zyklen)
Power Loss Protection Ja
End to End Data Path Protection Ja
Anhaltende Leseleistung (Max)[7] <9W <14,5W <13W
Anhaltende Schreibleistung (Max)[7] <11,5W <17,5W <15,5W
Versorgungsspannung 3,3V 12V
Betriebstemperatur -40°C bis 85°C (I-Temp)
Lagertemperatur -40°C bis 85°C
Vibrations-/Stoßresistenz Vibration: Sinus 16,4G,10~2.000Hz
Stoß: Halber Sinus 1.500G/0,5ms
MTBF @ 25°C > 3.000.000 Stunden
UBER <1 Sektor pro 10^17 Bits gelesen
Garantie 5 Jahre

[1] Sequentielle Burst-Leistung getestet mit IOmeter 4MB, QD64

[2] Zufällige Burst-Leistung, getestet mit IOmeter 4KB, QD64

[3] Durchschnittliche anhaltende sequenzielle Schreibleistung, getestet mit IOmeter, 4MB, QD64 für 4 Stunden

[4] Durchschnittliche anhaltende Leistung beim zufälligen Schreiben, getestet mit IOmeter, 4KB, QD64 für 4 Stunden

[5] 4KB zufällig QD=1

[6] Die tatsächliche Leistung kann je nach Benutzerbedingungen und Systemumgebung unterscheiden.

[7] Die Parameter wurden mit dem Laufwerk mit der höchsten Kapazität getestet.

[8] DWPD für 5 Jahre getestet mit JESD219A Enterprise Workload

Dokumente

Datenblatt

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