- PCIe® Gen4 NVMe E1.S SSD für industrielle und Enterprise-Anwendungen
- Hohe Schreibausdauer mit bis zu 5 DWPD für intensive Workloads
- MCU-basierte Power-Loss-Protection mit Level-4-Schutz
- Erhältlich in U.2, M.2 und E1.S für flexible Integrationsmöglichkeiten
- Erweiterter Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis +85°C
FEATURES
Beschreibung
ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe E1.S SSD Serie – Hochleistungsfähiger Speicher für Edge- und Enterprise-Anwendungen
In einer Welt, in der immer größere Datenmengen verarbeitet werden müssen, steigen die Anforderungen an Speichermedien kontinuierlich. Insbesondere in Industrie- und Edge-Computing-Umgebungen sind Lösungen gefragt, die nicht nur hohe Performance liefern, sondern auch extremen Bedingungen standhalten. Die ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe E1.S SSDs wurden speziell für anspruchsvolle Workloads entwickelt und bieten eine Kombination aus hoher Schreibausdauer, zuverlässigem Datentransfer und effizientem Wärmemanagement.
Maximale Performance und Zuverlässigkeit für intensive Workloads
Mit einer Schreibausdauer von bis zu 5 DWPD (Drive Writes Per Day) und niedriger Latenz (QoS) sind die SSDs für kontinuierlichen, intensiven Betrieb ausgelegt. Sie eignen sich ideal für Anwendungen wie künstliche Intelligenz, industrielle Automatisierung, Cloud-Computing und datenintensive Analysen.
Das MCU-basierte Power-Loss-Protection-Design mit Level-4-Schutz sorgt dafür, dass eingehende Daten auch bei unerwarteten Stromausfällen geschützt bleiben. Zudem gewährleistet eine Ultra-Low Bit Error Rate (UBER) von <1 in 10¹⁷ höchste Datensicherheit und -integrität.
Vielseitige Formfaktoren für flexible Integration
Die ATP Industrial Enterprise SSDs sind in den Formfaktoren U.2, M.2 und E1.S verfügbar, um sich an unterschiedliche Speicherarchitekturen anzupassen. Je nach Anwendungsanforderung sind verschiedene Kapazitäten und Schreibleistungsoptionen verfügbar.
Langlebig, robust und für extreme Bedingungen ausgelegt
Dank ihres erweiterten Betriebstemperaturbereichs von -40 °C bis +85 °C sind die ATP Industrial Enterprise E1.S SSDs für den Einsatz in extremen Industrieumgebungen konzipiert. Ob in Smart Factories, Edge-Servern oder AI-gestützten Systemen – sie garantieren zuverlässige Leistung über lange Betriebszeiten hinweg.
Mit der Kombination aus hoher Geschwindigkeit, Ausfallsicherheit und robustem Design sind die ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe E1.S SSDs die ideale Wahl für zukunftssichere Speicherlösungen in anspruchsvollen industriellen und Enterprise-Umgebungen.
Spezifikationen
| ATP Industrial Enterprise PCIe® Gen4 NVMe SSD Serie | |||
|---|---|---|---|
| SPEZIFIKATIONEN | |||
| Produktlinie | Enterprise | ||
| Naming | N651Sie | ||
| Schnittstelle | PCIe Gen4 x4 | ||
| Formfaktor | M.2 | U.2 | E1.S |
| Abmessungen | 80 x 22 x 3,85mm | 100 x 69,85 x 15mm | 118,75 x 33,75 x 9,5mm |
| Flash-Typ | TLC | ||
| Kapazität | 120GB bis 1,92TB | 480GB bis 7,68TB | |
| Sequenzielles Lesen bis zu[1][6][7] | 6.450 MB/s | 6.000 MB/s | 6.100 MB/s |
| Sequenzielles Schreiben bis zu[1][6][7] | 6.050 MB/s | 5.500 MB/s | 6.000 MB/s |
| Zufälliges Lesen bis zu[2][6][7] | 1.100 KIOPS | 820 KIOPS | 870 KIOPS |
| Zufälliges Schreiben bis zu[2][6][7] | 1.250 KIOPS | 1.200 KIOPS | |
| Dauerhaftes sequenzielles Schreiben bis zu[3][6][7] | 3.000 MB/s | 3.200 MB/s | |
| Dauerhaftes zufälliges Schreiben bis zu[4][6][7] | 250 KIOPS (1.000 MB/s) | 320 KIOPS (1.280 MB/s) | |
| Haltbarkeit (DWPD)[8] | Verfügbar in Konfigurationen mit 1, 2 und 5 DWPD | ||
| QoS 99,9999%[5][6][7] | Lesen <90µs | Schreiben <10µs | Lesen <80µs | Schreiben <10µs | Lesen <80µs | Schreiben <10µs |
| Datenerhalt | 1 Jahr bei 55°C (100% P/E-Zyklen) | ||
| Power Loss Protection | Ja | ||
| End to End Data Path Protection | Ja | ||
| Anhaltende Leseleistung (Max)[7] | <9W | <14,5W | <13W |
| Anhaltende Schreibleistung (Max)[7] | <11,5W | <17,5W | <15,5W |
| Versorgungsspannung | 3,3V | 12V | |
| Betriebstemperatur | -40°C bis 85°C (I-Temp) | ||
| Lagertemperatur | -40°C bis 85°C | ||
| Vibrations-/Stoßresistenz | Vibration: Sinus 16,4G,10~2.000Hz Stoß: Halber Sinus 1.500G/0,5ms |
||
| MTBF @ 25°C | > 3.000.000 Stunden | ||
| UBER | <1 Sektor pro 10^17 Bits gelesen | ||
| Garantie | 5 Jahre | ||
[1] Sequentielle Burst-Leistung getestet mit IOmeter 4MB, QD64
[2] Zufällige Burst-Leistung, getestet mit IOmeter 4KB, QD64
[3] Durchschnittliche anhaltende sequenzielle Schreibleistung, getestet mit IOmeter, 4MB, QD64 für 4 Stunden
[4] Durchschnittliche anhaltende Leistung beim zufälligen Schreiben, getestet mit IOmeter, 4KB, QD64 für 4 Stunden
[5] 4KB zufällig QD=1
[6] Die tatsächliche Leistung kann je nach Benutzerbedingungen und Systemumgebung unterscheiden.
[7] Die Parameter wurden mit dem Laufwerk mit der höchsten Kapazität getestet.
[8] DWPD für 5 Jahre getestet mit JESD219A Enterprise Workload
